年产50万片功率半导体芯片项目工程施工组织设计

[环境影响评价报告 - 资料分享] 发表于:2025-07-30 15:20:18
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前言
本文概述了功率半导体芯片项目的工程施工组织设计,包括施工扬尘污染防治措施、噪声源强及降噪措施、废水处理流程等内容。
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1. 工程施工组织设计

1.1 施工扬尘污染防治措施

扬尘污染是施工期间重要的污染因素,项目在地下挖掘过程以及施工建设期间,不可避免地会产生一些地面扬尘,这些扬尘尽管是短期行为,但会对附近区域环境空气带来不利的影响,所以在施工期间,应采取积极的大气污染防治措施来尽量减少扬尘的产生,如喷水,保持湿润,增加遮盖,及时外运等。施工过程应严格遵守《防治城市扬尘污染技术规范》(HJ/T393-2007)的相关规定;在风力大于4级的情况下应停止土方作业,同时作业处应覆以防尘网。

1.2 噪声源强及降噪措施

本项目运营后,主要噪声源为各类生产设施和机泵产生的机械设备噪声,机械设备噪声值约70~82dB(A)。本次评价主要预测厂界外1m 处噪声贡献值,预测时段为昼间、夜间。拟建项目各噪声源强详见下表。本项目针对上述噪声源,建议采取的防噪控制措施如下:

序号声源名称型号空间相对位置/m声源源强声源控制措施运行时段XYZ(声压级/距声源距离)/(dB(A)/m )
1尾气风机1点源201531.93减震、消声稳定声源82/1
2尾气风机2点源501431.98减震、消声稳定声源82/1
3废气喷淋塔1点源111532.37隔声、减震稳定声源70/1
4废气喷淋塔2点源171532.42隔声、减震稳定声源70/1
5污水泵1点源491431.48隔声、减震稳定声源80/1
6污水泵2点源332031.49隔声、减震稳定声源80/1
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序号建筑物名称声源名称型号声源源强声源控制措施空间相对位置/m距室内边界距离/m室内边界声级/dB(A)运行时段建筑物插入损失/dB(A)建筑物外噪声(声压级/距声源距离)/(dB(A)/m )XYZ声压级/dB(A)建筑物外距离
1芯片车间沟槽腐蚀机TVS点源70/1减震、隔声61932稳定声源2542.98131.3674
2芯片车间沟槽腐蚀机GPP点源70/1减震、隔声63432稳定声源2542.98131.3674
3芯片车间清洗机GPP点源75/1减震、隔声63132稳定声源2547.98131.3679
4芯片车间去胶机A点源75/1减震、隔声58932稳定声源2547.98131.3679
5芯片车间去胶机B点源75/1减震、隔声52431.98稳定声源2547.98131.3679
6芯片车间焊接面蚀刻机1点源70/1减震、隔声511031.98稳定声源2542.98131.3674
7芯片车间焊接面蚀刻机2点源70/1减震、隔声50431.98稳定声源2542.98131.3674
8芯片车间清洗机TVS A点源75/1减震、隔声49-131.98稳定声源2547.98131.3679
9芯片车间GPP 炉管清洗机点源75/1减震、隔声44931.97稳定声源2547.98131.3679
10芯片车间清洗机TVS B点源75/1减震、隔声48-131.97稳定声源2547.98131.3679
11芯片车间表面蚀刻机点源70/1减震、隔声36531.94稳定声源2542.98131.3674
12芯片车间涂胶机1点源75/1减震、隔声36331.94稳定声源2542.98131.3674
13芯片车间涂胶机2点源75/1减震、隔声34331.93稳定声源2542.98131.3674
14芯片车间涂胶机3点源75/1减震、隔声30-131.9稳定声源2542.98131.3674
15芯片车间曝光机1点源70/1减震、隔声22931.89稳定声源2542.98131.3674
16芯片车间曝光机2点源70/1减震、隔声22531.86稳定声源2542.98131.3674
17芯片车间曝光机3点源70/1减震、隔声22231.84稳定声源2542.98131.3674
18芯片车间曝光机4点源70/1减震、隔声21-131.82稳定声源2542.98131.3674
19芯片车间曝光机5点源70/1减震、隔声17931.86稳定声源2542.98131.3674
20芯片车间自动曝光机点源70/1减震、隔声17-131.77稳定声源2542.98131.3674
21芯片车间扩散清洗机点源75/1减震、隔声16331.79稳定声源2547.98131.3679
22芯片车间扩散炉管清洗机点源75/1减震、隔声10231.7稳定声源2547.98131.3679
23芯片车间铂后清洗机点源75/1减震、隔声6831.73稳定声源2547.98131.3679
24芯片车间分割清洗机点源75/1减震、隔声4831.71稳定声源2547.98131.3679
25芯片车间舟档片清洗机点源75/1减震、隔声-1631.61稳定声源2547.98131.3679
26芯片车间吹砂机1点源80/1减震、隔声5231.63稳定声源2552.98131.3684
27芯片车间吹砂机2点源80/1减震、隔声4131.6稳定声源2552.98131.3684
28芯片车间吹砂机3点源80/1减震、隔声3131.57稳定声源2552.98131.3684
29芯片车间显影机点源70/1减震、隔声0031.51稳定声源2542.98131.3674

1.3 废水处理流程

本项目废水主要为生产废水、食堂废水和员工生活污水、初期雨水。其中,生产废水主要包括:工艺废水、纯水装置反冲洗废水、清洗炉管废水、纯水装置产生的浓水和废气处理装置废水等。

(1)工艺废水

本项目工艺废水主要为清洗废水,根据建设单位提供的经验数据,项目各工序废水量统计见下表。

生产工序用水单元废水编号千片废水量(L )废水量合计(m³/a )
硅片清洗混酸后水洗 W13221389.26
泡氢氟酸后水洗 W23221389.26
清洗液超声洗106.66
清洗液超声后水洗 W46402770.36
热纯水超声洗 W5106.66
热纯水超声后水洗 W6640
硼前清洗混酸后水洗 W103221389.26
泡氢氟酸后水洗 W113221389.26
清洗液超声洗106.66
清洗液超声后水洗 W136402770.36
热纯水超声洗 W14106.66
热纯水超声后水洗 W15640
分割泡氢氟酸后水洗 W7、W168001120
热纯水超声洗 W8、W1753.34266.66
热纯水超声后水洗 W9、W18266.66
清洗混酸后水洗 W24535.341234.56
泡氢氟酸后水洗 W25270.66
清洗液超声洗138.66
清洗液超声后水洗 W27533.341899.33
热纯水超声洗 W28138.66
热纯水超声后水洗 W29282.67
沟槽腐蚀浅沟腐蚀后水洗 W3012004800
深沟腐蚀后水洗 W311200
去胶后水洗 W321200
抛光后水洗 W331200
清洗泡氢氟酸后水洗 W344084.420127.6
SC1后水洗 W358021.6
SC2后水洗 W368021.6
焊接面腐蚀浅沟腐蚀后水洗 W3728004000
去胶后水洗 W381200

(2)纯水装置浓水

根据前述水平衡分析,本项目纯水制备装置产生浓水9234.55m³/a ,浓水主要是盐类物质较原水升高,含污染物极少,废水污染物浓度分别为COD50mg/L 、SS40mg/L ,收集后与经处理后的其他废水一起通过废水总排口排入园区污水管网。

(3)初期雨水

本项目初期雨水收集量为919.6m³/a ,初期雨水主要污染物是悬浮物。初期雨水经厂区雨水管网收集后汇入初期雨水池,进入厂区污水处理站处理。

污水处理站隔油池废水总排口江陵县威德水质净化有限公司污水处理厂食堂废水工艺废水、废气喷淋废水、初期雨水、纯水装置反冲洗废水、清洗炉管废水化粪池办公生活污水纯水装置浓水

图 19 项目废水处理流向示意图

项目车间产生的工艺废水、清洗炉管废水经管道收集至车间外北侧的废水收集池,容积约15m³,然后泵入污水站调节池;废气喷淋废水、纯水装置反冲洗废水经管道排入污水站调节池;初期雨水经收集后排入初期雨水池,然后泵入污水站调节池。

本项目拟在厂区北侧建设污水处理站,设计处理规模为8.5m³/h (204m³/d ),采用“中和+沉淀工艺”,工艺流程图如下。

生产废水沉淀中和清水池污水处理厂污泥压滤片碱、氧化钙PAC 、PAM 等调节池滤液成型设备

图 20 污水处理站工艺流程图

工艺流程说明:

废水中和处理法是废水化学处理法的一种,利用中和作用,使酸性废水或碱性废水调节至中性,同时生成可溶解或难溶解的其他盐类。本项目废水为酸性废水,加入碱性药剂可调节其至中性。

混凝法的基本原理是在废水中投入混凝剂,因混凝剂为电解质,在废水中形成胶团,与废水中的胶体物质发生电中和,形成绒粒沉降,混凝沉淀不但可以去除废水中的细小悬浮颗粒,而且还能够去除色度、油分、微生物、氮和磷、有机物等。项目废水经中和去除废水中酸类物质后再加入絮凝剂,在絮凝剂的作用下,使废水中的胶体和细微悬浮物凝聚成絮凝体,利于泥水分离。

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