市经信局关于印发《武汉市集成电路产业发展 若干政策专项资金管理办法(2023年修订版)》的通知(武经信规〔2023〕5号)

[可行性研究报告 - 政策法规] 发表于:2026-03-30 09:49:00
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市经信局关于印发《武汉市集成电路产业发展

若干政策专项资金管理办法(2023年修订版)》的通知

(武经信规〔2023〕5号)

各区(开发区)经信部门:

为落实我市集成电路产业政策,促进我市集成电路产业高质量发展,经我局研究,现将《武汉市集成电路产业发展若干政策专项资金管理办法(2023年修订版)》印发给你们,请认真贯彻执行。

武汉市经济和信息化局

2023年9月18日

武汉市集成电路产业发展若干政策

专项资金管理办法(2023年修订版)

第一章 总 则

第一条 根据《武汉市加快集成电路产业高质量发展若干政策》(武政规〔2020〕18号)(以下简称武政规〔2020〕18号文),为促进我市集成电路产业高质量发展,进一步规范财政专项资金管理,充分发挥财政性资金的引导性作用,制定本办法。

第二条 本办法所称专项资金在市支持工业发展专项资金预算中安排,专项资金包括集成电路设计企业流片、设计费用补贴,集成电路公共服务平台的建设资助和运营奖励,集成电路企业销售自主研发设计的芯片及相关产品奖励,集成电路企业用于研发、生产的贷款贴息。

第三条 资金管理遵循公正公平、规范合法、有效监督的原则,按年度实施事后奖补;注重依托专业机构,实行市级统筹与区级参与相结合,广泛接受社会监督。

第二章 支持对象

第四条 本办法所称集成电路企业,是指主营业务为集成电路设计、制造、封测、设备、材料的企业,并同时符合下列条件:

(一)在政策支持期间持续经营、依法纳税,财务会计制度健全,具有独立法人资格。

(二)不违反国家、省、市联合惩戒政策和制度规定,近三年无不良信用记录,符合国家、省、市环保、安全生产、产品质量等要求。

(三)有完整的全职研发团队,具备自主研发能力。

第五条 本办法所称集成电路设计企业,需同时符合下列条件:

(一)符合本办法第四条规定,以集成电路设计为主营业务。

(二)拥有自主知识产权,并以此为基础开展经营活动。

(三)具有与集成电路设计相适应的生产经营场所、软硬件设施等开发环境(如电子设计自动化(EDA)工具、合法的开发工具等),以及与所提供服务相关的技术支撑环境。

第三章 职责分工

第六条 本办法涉及市经信局、各区(开发区)经信部门、第三方专业机构、申报企业等单位,各自承担以下主要职责:

(一)市经信局:编制年度资金预算,发布资金申报通知,指导各区(开发区)经信部门开展项目申报和评审。开展项目跟踪管理、监督检查,办理资金拨付;按照政府采购的相关规定统一选聘第三方专业机构开展项目审核等工作;开展资金项目绩效自评,配合市财政局进行重点评价或再评价,配合审计、监察等部门对资金使用和管理进行监督检查;职能范围内的其他工作事项。

(二)各区(开发区)经信部门:负责项目的申报、受理、核查、认定、资金监督使用等,负责组织对辖区内项目进行第三方专业机构(由市经信局统一选聘)审核,加强项目资金使用安全和效益目标的跟踪管理,抓好项目落地建设和政策落实。

(三)第三方专业机构:受市经信局委托,承担项目审核、后评价等过程中的支撑性工作。

(四)项目申报企业(单位):按照申报通知要求提交专项资金项目申请书等资料;按照要求开展绩效自评工作,配合开展监督、检查工作;及时报送项目有关材料,并对材料的真实性、准确性和完整性负责;根据项目评价结果及时进行调整。

第四章 申报条件和资助标准

第七条 流片补贴(武政规〔2020〕18号文第四条)申报条件、申报资料和资助标准:

(一)符合本办法第五条规定且符合下列条件的企业可申请流片补贴:

1.企业在申报年度内进行全掩膜(Full Mask)或多项目晶圆(MPW)首轮流片。

2.经过Full Mask流片,达到设计要求后,可以提供给集成电路系统整机厂商进行芯片性能测试及示范应用的芯片产品,产品须获得集成电路布图设计登记证书。

3.“首轮流片”是指集成电路设计企业为某款芯片进行的第一次流片。

4.流片费用具体包括:掩膜版制作费、用于首轮流片的晶圆购置费(不高于12片晶圆)、制造端IP授权费、测试加工费等。

(二)申报流片补贴的企业应提供下列申报资料:

1.企业营业执照复印件。

2.全掩膜(Full Mask)首轮工程产品流片、多项目晶圆(MPW)流片的情况说明。

3.企业上一年度财务审计报告及相关财务资料(包括:企业Full Mask流片中掩膜版制作费用或首轮流片费用的材料;企业MPW流片中首轮流片费用的材料;集成电路设计企业与集成电路制造企业(或全资子公司)、代流片企业签订的Full Mask、MPW首轮流片合同、发票、转账凭证等相关材料)。

4.盖章的申报材料真实性及不重复申请承诺书。

5.企业曾获得市级相关财政资金支持明细的文件。

6.市经信局要求的其他材料。

(三)流片补贴标准:

1.对完成全掩膜(Full Mask)首轮工程产品流片的集成电路设计企业,给予首轮流片费用30%或首轮掩膜版制作费用50%的补贴,单个企业年度补贴总额最高500万元。

2.对使用多项目晶圆(MPW)流片进行研发的集成电路设计企业,给予MPW首轮流片费用50%的补贴,单个企业年度补贴总额最高100万元。

第八条 设计费用补贴(武政规〔2020〕18号文第五条)申报条件、申报资料和资助标准:

(一)符合本办法第五条规定且符合下列条件的企业可申请设计费用补贴:

1.企业在申报年度内直接购买IP、EDA并用于研发。

2.企业在申报年度内复用、共享第三方集成电路(IC)设计平台的IP设计工具软件或测试分析系统。

3.购买IP不包含委托技术服务。

4.“IP”是指供应方提供的已形成知识产权并完成权属登记,可直接用于二次开发的商品。“Foundry IP”指由代工厂提供的用于流片环节的IP模块。

5.“委托技术服务”是指,委托方提出技术需求,由供应方研发,之后就该项技术形成知识产权,权属由双方自行约定。

(二)申报设计费用补贴的企业应提供下列申报资料:

1.企业营业执照复印件。

2.企业购置IP、EDA的情况介绍;企业开展复用、共享第三方IC设计平台的IP设计工具软件或测试分析系统的工作情况介绍。

3.企业上一年度财务审计报告及相关财务资料(包括:企业购置IP、EDA的费用明细表、合同、发票、转账凭证等;企业开展复用、共享第三方IC设计平台的IP设计工具软件或测试分析系统的费用明细表、合同、发票、转账凭证等)。

4.盖章的申报材料真实性及不重复申请承诺书。

5.企业曾获得市级相关财政资金支持明细的文件。

6.市经信局要求的其他材料。

(三)设计费用补贴标准:

1.给予购买IP、EDA实际支出费用的30%、年度总额最高200万元的补贴。

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