（免费下载）GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

1 总 则

1.0.1 为规范多晶硅工厂的工程设计，提高工程设计质量，做到技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能，制定本规范。资料库_资料共享_模版下载

1.0.2 本规范适用于采用三氯氢硅氢还原法的新建、扩建和改建多晶硅工厂的工程设计，也适用于硅烷歧化法多晶硅厂中三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和氯硅烷提纯的工程设计。
1.0.3 多晶硅工厂设计应积极采用节能、环保、高效、先进的装备和工艺，提高资源、能源利用率，实现物料、能源综合利用和清洁生产。

1.0.4 多晶硅工厂设计除应符合本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。（免费下载）GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

2 术 语

2.0.1 三氯氢硅氢还原法 trichlorosilane hydrogen reduc-tion process
经过不断完善的多晶硅生产主流工艺，是将高纯三氯氢硅与高纯氢气按一定比例通入还原炉，发生还原或热分解反应，在1050℃左右的高纯硅芯基体表面上沉积生长多晶硅；同时具备回收、利用生产过程中伴随产生的氢气、氯化氢、四氯化硅等副产物以及副产热能，最大限度地实现“物料内部循环、能量综合利用”的多晶硅生产工艺。模版下载_资料下载_十四五

2.0.2 多晶硅 polysilicon
单质硅的一种形态，硅原子以晶格形态排列成许多晶核，晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒组合结晶成多晶硅。根据用途可分为太阳能级和半导体级。
2.0.3 还原尾气干法回收 reduction off-gas recovery by dry method
一种相对于传统湿法回收尾气工艺的方法，利用尾气中各组分物理化学性质的差异采用冷凝、吸收、解析、吸附等方法，将其逐一分开回收、提纯，再重新返回生产系统循环利用。
2.0.4 四氯化硅氢化 silicon tetrachloride hydrogenation
一种处理多晶硅副产物四氯化硅的方法，与氢反应将其转换成三氯氢硅。
2.0.5 三氯氢硅合成 trichlorosilane synthesis
一种制取三氯氢硅的方法，将硅粉和氯化氢通入有一定温度的反应器内通过化学反应生成三氯氢硅。
2.0.6 氯硅烷精馏 chlorosilane distillation
一种通过气液交换，实现传质、传热，使氯硅烷混合物得到高纯度分离的方法。
2.0.7 液氯汽化 liquid chlorine vaporization
一种将液氯加热蒸发成氯气的方法。
2.0.8 氯化氢合成 hydrogen chloride synthesis
通过化学反应将氢气、氯气生成氯化氢气体的方法。
2.0.9 盐酸解析 hydrochloric acid stripping
一种将氯化氢从盐酸中解析出来的方法。
2.0.10 还原炉 reduction reactor
一种生产棒状多晶硅的专用设备。
2.0.11 二氯二氢硅反歧化 inverse disproportionating of di-chlorosilane
一种回收利用二氯二氢硅的方法，通过化学反应将二氯二氢硅与四氯化硅转化成三氯氢硅。
2.0.12 多晶硅后处理 polysilicon handling
根据客户和产品分析检测的要求，多晶硅出炉后进一步处理的统称，包括切除头尾、钻棒、滚圆、破碎、分拣、称重、腐蚀、清洗、干燥及包装等。
2.0.13 氯硅烷 chlorosilane
硅烷(SiH₄)中的氢原子部分或全部被氯原子取代后的物质统称。通常包括四氯化硅(SiCl₄)、三氯氢硅(SiHCl₃)、二氯二氢硅(SiH₂Cl₂)、一氯三氢硅(SiH₃Cl)等。
2.0.14 还原尾气 reduction off-gas
还原炉内生成多晶硅的反应过程中未参与反应的原料和生成的副产物的混合气体，主要包括氢气、气态氯硅烷及氯化氢等。

2.0.15 防爆防护墙 explosion-proof protective wall
具有一定防爆能力的隔墙，能防止爆炸产生的飞散物对设施及人员的伤害。（免费下载）GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

3 基本规定

3.0.1 太阳能级多晶硅工厂的设计规模应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。县域经济_工程资料_免费下载

3.0.2 多晶硅工厂应采用符合国家现行有关光伏制造行业规范条件要求的先进工艺技术、节能环保的工艺设备以及安全设施。
3.0.3 多晶硅工厂设计应符合现行国家标准《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB 29447等有关安全、环保、节能、消防以及劳动卫生的规定。

大牛工程师

4 厂址选择及厂区规划

5 工艺设计

6 电气及自动化

7 辅助设施

8 建筑结构

9 给水、排水和消防

10 采暖、通风与空气调节

11 环境保护、安全和卫生

12 节能、余热回收

附录A 地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距

附录A 地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距大牛工程师

表A 地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距(m)

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注：①特殊情况可酌减且最多减少1／2，应符合现行国家标准《电力工程电缆设计规范》GB 50217的有关规定。（免费下载）GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

附录B 地下管线之间的最小水平净距

附录B 地下管线之间的最小水平净距（免费下载）GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

表B 地下管线之间的最小水平净距(m)

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注：①特殊情况可酌减且最多减少1／2，应符合现行国家标准《电力工程电缆设计规范》GB 50217的有关规定。
②用隔板分隔或电缆穿管时可为0.1m。大牛工程师

附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度

附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度（免费下载）GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

表C 主要房间空气洁净度、温度、湿度


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注：腐蚀清洗室主要为生产半导体级多晶硅免洗料设置，在清洗设备上设置层流罩，保证在设备内部空气洁净度达到5级。（免费下载）GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范